مطالعه طرح تداخل مغناطیسی در گرافین بالستیک با ساختار قرص کاربینو

پایان نامه
چکیده

ما در این پایان نامه، یک اتصال جوزفسون گرافینی با ساختار قرص کاربینو را در نظر می گیریم که در آن ابررسانای داخلی به شعاع ‎r1‎ و گرافین به شعاع r2‎ و طول l‎ و ابررسانای بیرونی به صورت توده است. برانگیختگی های الکترون و حفره در گرافین در حالت ابررسانایی از معادله دیراک-بوگولیوبوف-دژن تبعیت می کنند. ما با استفاده از حل این معادله و استفاده از روش پراکندگی، انرژی ترازهای مقید اندریف را به دست آورده و جریان جوزفسون عبوری از اتصال را مطالعه می کنیم.اتصالات جوزفسون و بازتاب اندریف را برای یک صفحه تخت بررسی خواهیم کرد و در تقریب شبه کلاسیک، رابطه پاشندگی ابررسانا و توابع موج نرمال و ابررسانا بدست خواهد آمد. در نهایت جریان بحرانی را برای یک اتصال جوزفسون بالستیک بدست خواهیم آورد. در ادامه ی فصل دوم، تداخل مغناطیسی را برای اتصال جورفسون صفحه ای و تغییرات جریان بحرانی برای آن، بررسی می کنیم.اتصال مورد نظر از دو ابررسانای داخلی و خارجی به شعاع های ‎r1‎ و r2‎ و یک لایه گرافینی قرص مانند و یک میدان مغناطیسی خارجی عمود بر صفحه آن ها تشکیل شده است. با حل معادله دیراک، حالت های پراکندگی را در قسمت های نرمال و ابررسانا در حضور میدان مغناطیسی بدست می آوریم.نتایج ما نشان می دهند جریان بحرانی در نقطه دیراک که در آن چگالی حامل های بار صفر است دارای مقدار غیر صفر است، و کمینه جریان بحرانی در نقطه دیراک برای ساختار قرص کاربینو وابسته به هندسه سیستم بوده و با افزایش نسبت ‎r1/l افزایش می یابد ولی دوره تناوب نوسان های جریان بحرانیبا افزایش این نسبت ثابت می ماند.

منابع مشابه

جریان جوزفسون در گرافین بالستیک با ساختار قرص کاربینو

گرافین یک ساختار دو بعدی تک لایه از اتم های کربن است که در آرایش لانه زنبوری چیده شده اند. حامل های بار در این ساختار به صورت فرمیون های دیراک بدون جرم رفتار می کنند و اثرات جالب توجهی مانند پارادوکس کلاین و رفتار شبه پخشی از خود نشان می دهند. یک لایه از گرافین که در تماس با ابررسانا است به واسطه اثر مجاورت خاصیت ابررسانایی پیدا می کند. بازتاب اندریف در گرافین به دو شکل معمولی و ویژه صورت می گی...

15 صفحه اول

رسانایی تونلی در اتصال گرافینی نرمال- عایق- ابررسانا با ساختار قرص کاربینو

We study tunneling conductance of a graphene based normal metal-insulator-superconductor (NIS) junction with Corbino disk structure. Solving Dirac-Bogolioubov- De Gennes (DBdG) equation in different regions of the junction and employing scattering approach we obtain normal and Andreev reflection coefficients of the junction. Using Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) formula we calculate tunneling co...

متن کامل

جریان پمپی بی‌دررو در اتصال گرافینی نرمال- عایق- ابررسانا با ساختار قرص کاربینو

We investigate adiabatic pumping current in a graphene based normal-insulator-superconductor (NIS) junction with Corbino disk structure. The adiabatic pumping current is generated by two electrostatic potentials, oscillating periodically and out of phase, applied to the insulating and superconducting regions. Using the extended Brouwer’s formula for the adiabatic pumping current, which is based...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

مقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023